کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
753474 | 895533 | 2007 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Monte-Carlo analysis of signal propagation delay and AC performance of decananometric bulk and double-gate MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A time-dependent simulation procedure has been implemented in a state of the art Monte-Carlo device simulator that includes quantum corrections, and applied to the evaluation of the RF performance of bulk and ultra-thin-body double-gate (UTB-DG) MOSFETs with LGÂ =Â 25Â nm. The analysis focuses on the evaluation of the signal delay along the channel and of the admittance matrix at the device terminals. The performance of the bulk and UTB-DG MOSFETs are compared; the latter provides a significantly larger transition frequency (FT), due to the larger trans-conductance and much lower total drain capacitance, thanks to suppressed junction capacitance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 4, April 2007, Pages 604-610
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 4, April 2007, Pages 604-610
نویسندگان
N. Barin, P. Palestri, C. Fiegna,