کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
753598 | 1462268 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Behaviour of TFMS and CPW line on SOI substrate versus high temperature for RF applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Practical application of integrated circuits requires operation over a wide temperature range. In the case of microwave monolithic integrated circuits (MMICs), the quality of the interconnections as well as the passive matching networks in term of losses is predominent. Therefore, there is a need to investigate the performances of transmission line structures on Si-based substrates in a wide temperature range, as a function of frequency. The behaviour of 50 Ω thin film microstrip (TFMS) and coplanar waveguide (CPW) transmission line topologies on both standard and high resistivity silicon-on-insulator (SOI) substrates versus high temperature is presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issues 11–12, November–December 2006, Pages 1822–1827
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issues 11–12, November–December 2006, Pages 1822–1827
نویسندگان
M. Si Moussa, C. Pavageau, D. Lederer, L. Picheta, F. Danneville, N. Fel, J. Russat, J.-P. Raskin, D. Vanhoenacker-Janvier,