کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7700080 | 1496799 | 2018 | 22 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Stable charge retention in graphene-MoS2 assemblies for resistive switching effect in ultra-thin super-flexible organic memory devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Stable charge retention in graphene-MoS2 assemblies for resistive switching effect in ultra-thin super-flexible organic memory devices Stable charge retention in graphene-MoS2 assemblies for resistive switching effect in ultra-thin super-flexible organic memory devices](/preview/png/7700080.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 58, July 2018, Pages 145-152
Journal: Organic Electronics - Volume 58, July 2018, Pages 145-152
نویسندگان
Snigdha Bhattacharjee, Ujjal Das, Pranab Kumar Sarkar, Asim Roy,