کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7701253 | 1496830 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Controlled growth of a graphene charge-floating gate for organic non-volatile memory transistors
ترجمه فارسی عنوان
رشد کنترل شده یک دروازه شناور گرافن برای ترانزیستورهای حافظه آلی غیر فرار
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 27, December 2015, Pages 227-231
Journal: Organic Electronics - Volume 27, December 2015, Pages 227-231
نویسندگان
Yunhwan Park, Subeom Park, Insu Jo, Byung Hee Hong, Yongtaek Hong,