کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7718748 | 1497482 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling and simulation of AlxGayIn1âxâyAs/InP quaternary structure for photovoltaic
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Modeling and simulation of AlxGayIn1âxâyAs/InP quaternary structure for photovoltaic Modeling and simulation of AlxGayIn1âxâyAs/InP quaternary structure for photovoltaic](/preview/png/7718748.png)
چکیده انگلیسی
In this work, we have studied solar cells based on AlGaInAs/InP quaternary structure to describe the behavior of electronics components. To this end, we have developed a simulation program to study the gallium Ga and aluminum Al concentrations effect on respectively the lattice mismatch, the band gap energy, the absorption and the power delivered by the solar cell. This study allows us to compare between simulation and experimental results, once the cell parameters are optimized by a judicious choice of concentrations. This work allows us either to use nanotechnologies for solar cells.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: International Journal of Hydrogen Energy - Volume 39, Issue 27, 12 September 2014, Pages 15287-15291
Journal: International Journal of Hydrogen Energy - Volume 39, Issue 27, 12 September 2014, Pages 15287-15291
نویسندگان
A. Aissat, M. El bey, R. Bestam, J.P. Vilcot,