کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7847738 | 1508812 | 2018 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Selective growth of semiconducting single-wall carbon nanotubes using SiC as a catalyst
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Semiconducting SWCNTs were selectively grown from SiC nanoparticles by the chemical vapor deposition of ethanol, where the caps of any metallic SWCNTs were preferentially etched by active H radicals.156
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Carbon - Volume 135, August 2018, Pages 195-201
Journal: Carbon - Volume 135, August 2018, Pages 195-201
نویسندگان
Min Cheng, Bing-Wei Wang, Peng-Xiang Hou, Jin-Cheng Li, Feng Zhang, Jian Luan, Hong-Tao Cong, Chang Liu, Hui-Ming Cheng,