کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7847738 1508812 2018 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Selective growth of semiconducting single-wall carbon nanotubes using SiC as a catalyst
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی انرژی انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Selective growth of semiconducting single-wall carbon nanotubes using SiC as a catalyst
چکیده انگلیسی
Semiconducting SWCNTs were selectively grown from SiC nanoparticles by the chemical vapor deposition of ethanol, where the caps of any metallic SWCNTs were preferentially etched by active H radicals.156
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Carbon - Volume 135, August 2018, Pages 195-201
نویسندگان
, , , , , , , , ,