کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7849128 1508820 2018 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Chemical etching of a semiconductor surface assisted by single sheets of reduced graphene oxide
ترجمه فارسی عنوان
اچینگ مواد شیمیایی یک سطح نیمه هادی با استفاده از ورق های تک اکسید گرافن کاهش یافته است
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی انرژی انرژی (عمومی)
پیش نمایش مقاله
اچینگ مواد شیمیایی یک سطح نیمه هادی با استفاده از ورق های تک اکسید گرافن کاهش یافته است
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Carbon - Volume 127, February 2018, Pages 681-687
نویسندگان
, , , , ,