کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7853788 1508871 2014 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Forming-free resistive switching in a nanoporous nitrogen-doped carbon thin film with ready-made metal nanofilaments
ترجمه فارسی عنوان
سوئیچینگ مقاومتی بدون فرمول در یک فیلم نازک کربن نانوذرات با نانوکامپوزیت های آماده ساخته شده
ترجمه چکیده
یک فیلم نازک کربن آمورف، با سوراخهای چند ده نانومتر، با نانوایی نانوکامپوزیت نیتروژن مگنترون اسپویل شده با نیتروژن کربن با دمای بالا در یک محیط بی هوازی سنتز شده است. بر اساس این فیلم کربنی نانوذرات، ما ابتدا سوئیچینگ مقاومتی تشکیل دهنده را در یک دستگاه دو ترمینال حاوی نانوفیلم های آماده ساخته شده آماده می کنیم. چنین دستگاه حافظه مقاوم در برابر کربن نانوپروس ولتاژ عملیاتی کم و عملکرد و استقامت خوب را نشان می دهد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی انرژی انرژی (عمومی)
چکیده انگلیسی
An amorphous carbon thin film, with through-pores of several tens of nanometers in size, has been synthesized by annealing magnetron sputtered nitrogen-doped carbon thin films at elevated temperature in an inert atmosphere. Based on this nanoporous carbon film, we first report forming-free resistive switching in a two terminal device containing ready-made metal nanofilaments. Such nanoporous carbon-based resistance memory device shows low operation voltages and good endurance and retention performance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Carbon - Volume 76, September 2014, Pages 459-463
نویسندگان
, , , , , , , , , , , , , , , , ,