کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7855811 | 1508883 | 2013 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electron-beam-induced direct etching of graphene
ترجمه فارسی عنوان
اچینگ مستقیم گرافن ناشی از الکترونی پرتو
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
چکیده انگلیسی
We present electron-beam-induced oxidation of single- and bilayer graphene devices in a low-voltage scanning electron microscope. We show that the injection of oxygen leads to targeted etching at the focal point, enabling us to pattern graphene with a resolution of better than 20Â nm. Voltage-contrast imaging, in conjunction with finite-element simulations, explain the secondary-electron intensities and correlate them to the etch profile.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Carbon - Volume 64, November 2013, Pages 84-91
Journal: Carbon - Volume 64, November 2013, Pages 84-91
نویسندگان
Cornelius Thiele, Alexandre Felten, Tim J. Echtermeyer, Andrea C. Ferrari, Cinzia Casiraghi, Hilbert v. Löhneysen, Ralph Krupke,