کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7870690 | 1509190 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of substrate temperature and source grain size on the structural and electrical properties of CSVT grown Cu(In1âxGax)Se2 thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
بیومتریال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effect of substrate temperature and source grain size on the structural and electrical properties of CSVT grown Cu(In1âxGax)Se2 thin films Effect of substrate temperature and source grain size on the structural and electrical properties of CSVT grown Cu(In1âxGax)Se2 thin films](/preview/png/7870690.png)
چکیده انگلیسی
The observed deep trap levels are tentatively assigned to the well known N1 centres. The effect of growth conditions on the defect energy levels and the defect densities are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: C - Volume 27, Issues 5â8, September 2007, Pages 1002-1006
Journal: Materials Science and Engineering: C - Volume 27, Issues 5â8, September 2007, Pages 1002-1006
نویسندگان
M. Nouiri, Z. Ben Ayadi, K. Khirouni, S. Alaya, K. Djessas, S. Yapi,