کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7870707 | 1509190 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Enhancement of IR emission from a dislocation network in Si due to an external bias voltage
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
بیومتریال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Si-based light emitters with efficient emission at 1.5 or 1.3 μm are required for on-chip optical interconnection for the ultra large scale integrated circuits in the future. In this paper, we have shown that dislocation networks in Si formed by direct wafer bonding emit a quartet of luminescence D-lines. The D-line spectrum can be tailored by the structure of the dislocation network. The D1 or D3, with a wavelength of 1.5 or 1.3 μm respectively, can be made dominating in the luminescence spectrum. An external bias voltage applied to the bonded interface can significantly enhance the luminescence intensity of D-lines.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: C - Volume 27, Issues 5â8, September 2007, Pages 1026-1029
Journal: Materials Science and Engineering: C - Volume 27, Issues 5â8, September 2007, Pages 1026-1029
نویسندگان
X. Yu, O.F. Vyvenko, M. Reiche, M. Kittler,