کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7874035 | 1509425 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temporal and thermal properties of optically induced instabilities in P3HT field-effect transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
بیومتریال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Optically induced changes in P3HT based organic field-effect transistors. ⺠Oxygen induces charge transfer states inside the P3HT layer. ⺠Threshold voltage shifts and p-doping of the P3HT layer. ⺠Investigation of the temporal relaxation as a function of the temperature. ⺠Electronic discharge of trap states and oxygen diffusion.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Synthetic Metals - Volume 161, Issues 23â24, January 2012, Pages 2558-2561
Journal: Synthetic Metals - Volume 161, Issues 23â24, January 2012, Pages 2558-2561
نویسندگان
Lorenz A. Kehrer, Stefan Winter, Rene Fischer, Christian Melzer, Heinz von Seggern,