کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7904552 | 1510670 | 2018 | 18 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of channel thickness on structure and transport properties of AlGaN/InGaN heterostructures grown by pulsed metal organic chemical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Effects of channel thickness on structure and transport properties of AlGaN/InGaN heterostructures grown by pulsed metal organic chemical vapor deposition Effects of channel thickness on structure and transport properties of AlGaN/InGaN heterostructures grown by pulsed metal organic chemical vapor deposition](/preview/png/7904552.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 105, September 2018, Pages 368-371
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 105, September 2018, Pages 368-371
نویسندگان
Yachao Zhang, Zhizhe Wang, Shengrui Xu, Weimin Bao, Tao Zhang, Jun Huang, Jincheng Zhang, Yue Hao,