Metallic nanofilms on single crystal silicon: Growth, properties and applications

ما دیدگاه های نظری را مورد بررسی قرار داده ایم و داده های تجربی راجع به رشد و خواص نانوفیلم های فلزی (از جمله چند لایه) بر روی سیلیکون را بررسی کرده ایم و همچنین بررسی کوتاهی از کاربرد آنها را ارائه می کنیم. این فیلم ها شامل اندازه های اتمی، اندازه های کوانتومی و اندازه های کوانتومی می باشد. ما تکنولوژی رشد فیلم دمای پایین را بر اساس لایه های رشد انجماد در طی رسوب پیشنهاد دادیم و با حفظ دمای پایین سوبسترا و استفاده از یک پرتو اتمی با کاهش گرما، پیشنهاد کردیم. این تکنولوژی از یک سیستم رسوب ویژه شکل استفاده می کند که فاصله بین منبع و بستر نسبت به اندازه آن یا کوچکتر قابل مقایسه است. علاوه بر این، ما از توالی خاصی از رسوب استفاده می کنیم که به دلیل فواصل بیشتر بین پالس های رسوب برای دمای سطح زیر سطحی کاهش می یابد. این روش رشدی از فیلمهای نازک اتمی و نانوفیلمهای چند لایه باعث حذف بین لایهها، کاهش سرعت رشد سه بعدی و سرعت رشد لایههای جانبی نسبتا افزایش مییابد.