کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7924430 | 1512278 | 2017 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of cross-cutting structures with different porosity on thick silicon wafers
ترجمه فارسی عنوان
تشکیل سازه های متقاطع با تخلخل های مختلف در ورقه های سیلیکونی ضخیم
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
سیلیکون متخلخل، الکتروشیمیایی، عنصر میکرو سوخت واحد غشایی الکترود،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
Three-layered pass-through structures of two types have been obtained on 500 μm thick single crystal silicon wafers by electrochemical etching in a 48% solution of hydrofluoric acid without using additional single crystal layer removal operations. The first type of the pass-through structures comprises two outermost 220-247.5 μm thick macroporous silicon layers with a pore diameter of 7-10 μm and an intermediate 5-60 μm thick mesoporous silica layer with a pore diameter of 100-150 nm. For the formation of the first type structures we used two-stage etching without cell disassembly:
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Modern Electronic Materials - Volume 3, Issue 2, June 2017, Pages 72-75
Journal: Modern Electronic Materials - Volume 3, Issue 2, June 2017, Pages 72-75
نویسندگان
Vera A. Yuzova, Fedor F. Merkushev, Eugene A. Lyaykom,