کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
7924457 1512282 2016 5 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Research of acceptor impurity thermal activation in GaN: Mg epitaxial layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Research of acceptor impurity thermal activation in GaN: Mg epitaxial layers
چکیده انگلیسی
The effect of thermal annealing of GaN:Mg layers on acceptor impurity activation has been investigated. Hole concentration increased and mobility decreased with an increase in thermal annealing temperature. The sample annealed at 1000 °C demonstrated the lowest value of resistivity. Rapid thermal annealing (annealing with high heating speed) considerably improved the efficiency of Mg activation in the GaN layers. The optimum time of annealing at 1000 °C has been determined. The hole concentration increased by up to 4 times compared to specimens after conventional annealing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Modern Electronic Materials - Volume 2, Issue 2, June 2016, Pages 45-47
نویسندگان
, , , , , ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت