کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7924467 1512283 2016 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
X-ray topographic study of defects in Si-based multilayer epitaxial power devices
ترجمه فارسی عنوان
بررسی توپوگرافی اشعه ایکس از نقص در دستگاه های قدرت اپتیکال چند لایه مبتنی بر سی
کلمات کلیدی
توپوگرافی اشعه ایکس، سیلیکون، عیوب، سازه های اپتیکال چند لایه، دستگاه های برق، ویژگی های برق،
ترجمه چکیده
روشهای اشعه ایکس که در این کار استفاده می شود، امکان تشخیص و شناسایی نقایص رشد و فرآیند در سازه های دستگاه، مطالعه توزیع آنها، تجزیه و تحلیل متقابل متقابل و دریافت اطلاعات ارزشمند در مورد ماهیت و تکامل نقایص در فرایند ساخت ساختار دستگاه را می دهد. این اطلاعات به ما امکان انتخاب مواد و فرآیندهای اولیه را جهت بهینه سازی محتوای نقص ساختاری حیاتی الکتریکی در بلورها که می تواند بر پارامترهای دستگاه های نیمه هادی ساخته شده تأثیر بگذارد، بهینه سازی می کند. ما همچنین عملکرد پردازش و قابلیت قابل ملاحظه بهبود عملکرد نیمه هادی را در حالت های شدید و حالت های اضطراری افزایش دادیم.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش مقاله
بررسی توپوگرافی اشعه ایکس از نقص در دستگاه های قدرت اپتیکال چند لایه مبتنی بر سی
چکیده انگلیسی
The X-ray methods used in the work allow revealing and identifying growth and process defects in device structures, studying their distributions, analyzing their mutual interactions and obtaining valuable information on the nature and evolution of the defects during device structure fabrication processes. This information allowed us to optimize the choice of initial materials and processes aiming to reduce the content of critical electrically active structural defects in the crystals that can influence the parameters of fabricated semiconductor devices; we also increased process yield and tangibly improved semiconductor device operation reliability in severe conditions and emergency modes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Modern Electronic Materials - Volume 2, Issue 1, March 2016, Pages 23-28
نویسندگان
, ,