کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7930371 | 1512587 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bias current influence on semiconductor optical amplifier's equivalent circuit
ترجمه فارسی عنوان
تاثیر فعلی اختلال در مدار معادل تقویت کننده نوری نیمه هادی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
مدارهای معادل، امپدانس، دستگاه های الکترو نوری، استخراج پارامتر، تقویت کننده های نوری نیمه هادی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
The equivalent electrical circuits - including the parasitic elements and their variations with the injected bias current - for three semiconductor optical amplifiers (SOA) were obtained. Frequency domain measurements with further tuning of numerical modeling parameters were used to extract circuit parameters. Characterization of chip-on-carrier and encapsulated devices agree with numerical data up to 20Â GHz. The results are relevant for designing fast speed, SOA-gated switches in optical routers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 336, 1 February 2015, Pages 153-159
Journal: Optics Communications - Volume 336, 1 February 2015, Pages 153-159
نویسندگان
Rafael C. Figueiredo, Napoleão S. Ribeiro, Cristiano M. Gallep, Evandro Conforti,