Temperature dependence of static spin conductivity of gapped graphene

ما در مورد وابستگی به دمای هدایت اسپتیایی استاتیک گرافن گاگوتیک برای مغناطیسی های مختلف، مقاومت های متقابل تکیه کولمب و پارامترهای پارامترهای شکاف انرژی مورد بررسی قرار گرفتیم. ما از مدل هابارد برای توصیف دینامیک الکترون در سیستم استفاده کردیم. بر اساس نظریه پاسخ خطی، ما هدایت الکتریکی سیستم را با استفاده از رویکرد عملکرد سبز به دست آوردیم. نتایج ما نشان می دهد که وابستگی دمای هدایت اسپین استاتیک یک انتخاب است که با افزایش امواج مغناطیسی، مقاومت متقاطع انقباض کولمب و شکاف انرژی به درجه حرارت بالاتر می انجامد. علاوه بر این، در دمای ثابت، هدایت اسپین استاتیک با افزایش پارامترهای فیزیکی ذکر شده کاهش می یابد.