کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7964650 | 1514176 | 2016 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low energy and low fluence helium implantations in tungsten: Molecular dynamics simulations and experiments
ترجمه فارسی عنوان
تجمع هلیم کم انرژی و کمبود فلنسنس در تنگستن: شبیه سازی و آزمایشات پویایی مولکولی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
دینامیک مولکولی، نگهداری هلیوم، تعاملات دیواره پلاسما،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی هسته ای و مهندسی
چکیده انگلیسی
300Â eV Helium implantation process into tungsten at 300Â K has been studied with molecular dynamic simulations (MD). Predicted retention doses were compared to that obtained from experiments performed in equivalent conditions. A saturation phenomenon of the helium retention was evidenced for a number of impinging He atoms and a retention dose similar in both, experiments and simulations. From MD simulations it is learnt that observed Helium diffusion, formation and coalescence of clusters are the phenomena leading to the flaking of the substrate. These processes could explain the saturation of the Helium retention observed experimentally at low energies.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Nuclear Materials - Volume 470, March 2016, Pages 44-54
Journal: Journal of Nuclear Materials - Volume 470, March 2016, Pages 44-54
نویسندگان
L. Pentecoste, P. Brault, A.-L. Thomann, P. Desgardin, T. Lecas, T. Belhabib, M.-F. Barthe, T. Sauvage,