کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7968334 | 1514200 | 2014 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Experimental and ab initio study of enhanced resistance to amorphization of nanocrystalline silicon carbide under electron irradiation
ترجمه فارسی عنوان
بررسی تجربی و تحقیق اولیه در مورد افزایش مقاومت در برابر آمورفیزیک کاربید سیلیکون نانوکریستالیک تحت تابش الکترون
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی هسته ای و مهندسی
چکیده انگلیسی
The crystalline-to-amorphous transition in nanocrystalline silicon carbide (ncSiC) has been studied using 1.25Â MeV electron irradiation. When compared to literature values for single crystal silicon carbide under electron irradiation, an increase in the dose to amorphization (DTA) was observed, indicative of an increase in radiation resistance. Factors that contribute to this improvement are grain refinement, grain texture, and a high density of stacking faults (SFs) in this sample of ncSiC. To test the effect of SFs on the DTA, density functional theory simulations were conducted. It was found that SFs reduced the energy barriers for both Si interstitial migration and the rate-limiting defect recovery reaction, which may explain the increased DTA.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Nuclear Materials - Volume 445, Issues 1â3, February 2014, Pages 181-189
Journal: Journal of Nuclear Materials - Volume 445, Issues 1â3, February 2014, Pages 181-189
نویسندگان
Laura Jamison, Ming-Jie Zheng, Steve Shannon, Todd Allen, Dane Morgan, Izabela Szlufarska,