کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7990718 | 1516130 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic and mechanical property of high electron mobility semiconductor Bi2O2Se
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Using ï¬rst-principles calculations combined with a semi-empirical van der Waals dispersion correction, we have investigated the structural, electronic and mechanical properties of Bi2O2Se. We predict that Bi2O2Se is a semiconductor with a band gap of 0.99â¯eV. By analyzing its bulk modulus, shear modulus, Young's modulus and Possion's ratio, we found that it is a ductile material. Furthermore, the shear anisotropic factors and the elastic anisotropy are also investigated. The minimum thermal conductivity of around 0.2â¯W/(mâ¯Â·â¯K) and a Debye temperature of 18.23â¯K are determined by the theoretical elastic constants.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 764, 5 October 2018, Pages 674-678
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 764, 5 October 2018, Pages 674-678
نویسندگان
Jiang Liu, Liqiang Tian, Yao Mou, Wanli Jia, Lin Zhang, Rujun Liu,