کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7993059 | 1516150 | 2018 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Wavelength extension in GaSbBi quantum wells using delta-doping
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Delta doped GaSbBi quantum wells (QWs) grown by molecular beam epitaxy was investigated to extend light emission wavelength at room temperature with the Bi content of 7.0%. The delta-doped GaSbBi QWs transition energy shifts up to 47.0â¯meV with increasing the Te dopant concentration from 0 to 4.56â¯Ãâ¯1012â¯cmâ2, resulting in maximum light emission of 2.42â¯Î¼m, without obvious degradation of optical quality. The temperature coefficient of the band-gap for the delta-doped QW is only 0.099â¯meV/K compared with 0.265â¯meV/K from the undoped GaSbBi reference QW.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 744, 5 May 2018, Pages 667-671
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 744, 5 May 2018, Pages 667-671
نویسندگان
Yanchao Zhang, Li Yue, Xiren Chen, Jun Shao, Xin Ou, Shumin Wang,