| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 7996667 | 1516207 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Oxygen vacancy modulation and enhanced switching behavior in HfOx film induced by Al doping effect
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The resistive switching behaviors and the switching mechanisms of HfOx and Al-doped HfOx samples.329
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 686, 25 November 2016, Pages 669-674
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 686, 25 November 2016, Pages 669-674
نویسندگان
Tingting Guo, Tingting Tan, Zhengtang Liu, Bangjie Liu,