کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7997956 | 1516247 | 2015 | 22 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growing high-quality ternary CdMnTe epilayers by molecular beam epitaxy on Si substrates and its mechanism
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Growing high-quality ternary CdMnTe epilayers by molecular beam epitaxy on Si substrates and its mechanism Growing high-quality ternary CdMnTe epilayers by molecular beam epitaxy on Si substrates and its mechanism](/preview/png/7997956.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 646, 15 October 2015, Pages 129-134
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 646, 15 October 2015, Pages 129-134
نویسندگان
Jyh-Shyang Wang, Shih-Chang Tong, Yu-Hsuan Tsai, Wei-jiun Tsai, Chu-Shou Yang, Yi-Hsin Chang, Yung-Chen Cheng, Chih-Hung Wu, Chi-Tsu Yuan, Ji-Lin Shen,