کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7998139 | 1516247 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Metal-semiconductor transition and negative magneto-resistance in degenerate ultrathin tin oxide films
ترجمه فارسی عنوان
انتقال فلز نیمه هادی و مقاومت مغناطیسی منفی در فیلم های اکسید آلومینیوم آلترا تین
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
حمل و نقل الکترونی، فیلمهای اولترا مقاومت مغناطیسی، انتقال نیمه هادی فلز اکسید قلع،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
چکیده انگلیسی
A study of electron- and magneto-transport behavior of ultrathin SnO2 films of thickness â¤40 nm with high conductivity of 537 Ωâ1 cmâ1 deposited on glass substrate by using DC reactive sputtering has been carried out at low temperature. Hall effect measurements revealed these SnO2 films to be degenerate down to 40 K. The films with thickness >5 nm are found to undergo a metal-semiconductor transition below 140 K, and show a negative MR of â¼1.5% at a magnetic field of 0.9 T below 40 K. Both these phenomena have been ascribed to the presence of weak localization of electrons at low temperature. Electron transport behavior has been explained using quantum correction to conductivity. Estimated inelastic scattering lengths were found to be longer than the film thickness which supports two-dimensional nature of electron- and magneto-transport in these ultrathin films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 646, 15 October 2015, Pages 483-489
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 646, 15 October 2015, Pages 483-489
نویسندگان
Shikha Bansal, Subhash C. Kashyap, Dinesh K. Pandya,