کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7998892 | 1516254 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of a Ni buffer layer on the optical and electrical properties of GZO/Ni bi-layered films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Influence of a Ni buffer layer on the optical and electrical properties of GZO/Ni bi-layered films Influence of a Ni buffer layer on the optical and electrical properties of GZO/Ni bi-layered films](/preview/png/7998892.png)
چکیده انگلیسی
As-deposited GZO films that contained the PC substrate show an average optical transmittance of 81.3% in the visible wavelength region and an electrical resistivity of 3.1 Ã 10â3 Ω cm, while GZO/Ni bi-layered films show different optical and electrical properties that are dependent on the thickness of the Ni buffer layer. Although the GZO 100 nm/Ni 5 nm films possessed the lowest electrical resistivity (7.3 Ã 10â4 Ω cm) and the largest grain size (16 nm) in this study, GZO 100 nm/Ni 2 nm films showed best optoelectrical performance among the films. This superiority was due to the simultaneous optimization of the optical and electrical properties.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 639, 5 August 2015, Pages 1-4
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 639, 5 August 2015, Pages 1-4
نویسندگان
Jae-Hyun Jeon, Tae-Kyung Gong, Sun-Kyung Kim, Seung-Hong Kim, So-Young Kim, Dong-Hyuk Choi, Dong-Il Son, Daeil Kim,