کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7999231 | 1516265 | 2015 | 25 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
UV photocurrent responses of ZnO and MgZnO/ZnO processed by atmospheric pressure plasma jets
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper reports the 368-nm UV photocurrent responses of rf-sputter-deposited ZnO and MgZnO/ZnO metal-semiconductor-metal photodetectors (MSM PDs) treated using atmospheric pressure plasma jets (APPJs). In ZnO and MgZnO/ZnO PDs, the dark current and photocurrent levels, photoresponsivities, and photocurrent response times in the fast rising and decay transition regions increase with the APPJ treatment duration. The MgZnO capping layer also increase the dark current and photocurrent levels, photoresponsivity, and fast decay transition time. These observations can be attributed to the shielding of ambient oxygen, defect and surface states passivation, and introduction of highly conductive interfaces at the MgZnO/ZnO heterojunctions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 628, 15 April 2015, Pages 68-74
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 628, 15 April 2015, Pages 68-74
نویسندگان
Tsung-Han Wu, I-Chun Cheng, Cheng-Che Hsu, Jian-Zhang Chen,