| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 8002957 | 1516314 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Morphology evolution and photoluminescence of barium molybdate controlled by poly (sodium-4-styrenesulfonate)
												
											ترجمه فارسی عنوان
													تکامل مورفولوژیک و فوتولومینسانس مولیبدیت باریم کنترل شده با پلی (سدیم 4-استیرنسولفونات) 
													
												دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												مواد معدنی، سنتز شیمیایی، ریز ساختارها، لومینسانس،
																																							
												موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													مهندسی مواد
													فلزات و آلیاژها
												
											چکیده انگلیسی
												An evolutionary morphology of BaMoO4 from spheres to octahedra was successfully synthesized via a biomineralization method under the control of poly (sodium 4-styrene-sulfonate) (PSS) at room temperature. The as-prepared precipitates were characterized by X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscope (FE-SEM) and photoluminescence (PL) spectrometer. A possible formation mechanism of BaMoO4 crystals with different morphologies was proposed. PSS complexes Ba2+ first, then simplifies the nucleation process. It controls the morphology and size of crystals by adjusting the oriented growth direction. The PL spectra exhibited a strong blue emission. We found that surface defects, crystalline degree, particle size and morphology were crucial to the PL intensity of BaMoO4.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 579, 5 December 2013, Pages 549-552
											Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 579, 5 December 2013, Pages 549-552
نویسندگان
												S.S. Ding, M. Lei, H. Xiao, G. Liu, Y.C. Zhang, K. Huang, C. Liang, Y.J. Wang, R. Zhang, D.Y. Fan, H.J. Yang, Y.G. Wang, 
											