کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8016847 1517210 2016 10 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of large-grain crystalline germanium on single layer graphene on insulator by rapid melting growth
ترجمه فارسی عنوان
تشکیل گرانیم بلورین بزرگ دانه بر روی گرافن تک لایه بر روی عایق با رشد سریع ذوب
کلمات کلیدی
نیمه هادی ها، مواد کربن، ژرمانیوم، ژرمانیم بر روی مقره، گرافن تک لایه، رشد ذوب سریع
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
We demonstrate the crystallization of thermally deposited amorphous germanium (Ge) microstrips on single layer graphene (SLG) by rapid melting growth. Lateral growth of large grain crystalline Ge was successfully obtained over entire microstrip structure. SLG has shown its capability to suppress the spontaneous nucleation in the melting Ge, where no or less intermixing of C and Ge atoms has been detected. The interaction of C atoms from the graphene and Ge atoms at the interface is the possible reason for the observation of large compressive strain generated in the Ge strip grown on SLG. This technique provides an innovative breakthrough towards the realization of single-crystalline Ge-on-insulator (GOI) structure on SLG to facilitate the next-generation ultra-large-scale integrated circuits (ULSIs) with multifunctionalities.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 178, 1 September 2016, Pages 147-150
نویسندگان
, , , , , , ,