Keywords: گرینیم بر روی مقره; Crystal growth; Carbon nanomaterials; Electrodeposition; Germanium-on-insulator; Graphene; Rapid melting growth;
مقالات ISI گرینیم بر روی مقره (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: گرینیم بر روی مقره; Semiconductors; Carbon materials; Germanium; Germanium-on-insulator; Single layer graphene; Rapid melting growth;
Germanium-on-insulator virtual substrate for InGaP epitaxy
Keywords: گرینیم بر روی مقره; Germanium-on-insulator; Virtual substrate; Wafer bonding; III-V integration;
Germanium-on-insulator virtual substrate for InGaP epitaxy
Keywords: گرینیم بر روی مقره; Germanium-on-insulator; Virtual substrate; Wafer bonding; III-V integration;
Structural and electrical properties of Ge(111) films grown on Si(111) substrates and application to Ge(111)-on-Insulator
Keywords: گرینیم بر روی مقره; Germanium; Germanium-on-Insulator; GOI; Mobility
Electrical characterization of wafer-bonded Ge(111)-on-insulator substrates using four-point-probe pseudo-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor method
Keywords: گرینیم بر روی مقره; Germanium-on-insulator; Wafer bonding; Pseudo-MOSFET
In-depth physical investigation of GeOI pMOSFET by TCAD calibrated simulation
Keywords: گرینیم بر روی مقره; Germanium; Germanium-on-insulator; GeOI; MOSFET; TCAD; Simulation
Detailed investigation of effective field, hole mobility and scattering mechanisms in GeOI and Ge pMOSFETs
Keywords: گرینیم بر روی مقره; Germanium; Germanium-on-Insulator; GeOI; SOI; pMOSFET; Low temperature measurements; Effective electric field; Scattering mechanisms; High-κ metal gate; Surface roughness mobility; Coulomb mobility
Low-temperature characterization and modeling of advanced GeOI pMOSFETs: Mobility mechanisms and origin of the parasitic conduction
Keywords: گرینیم بر روی مقره; Germanium-on-insulator; Germanium; GeOI; Low-temperature measurements; Ge Enrichment; Temperature dependent threshold voltage; High-κ metal gate; Silicon passivation; SOI
High performance 70 nm gate length germanium-on-insulator pMOSFET with high-k/metal gate
Keywords: گرینیم بر روی مقره; Germanium; Germanium-on-insulator; GeOI; MOSFET; High-k; Short channel effects; Hole mobility
Activation level in boron-doped thin germanium-on-insulator (GeOI): Extraction method and impact of mobility
Keywords: گرینیم بر روی مقره; 73.61.−rGermanium; Germanium-on-insulator; GeOI; Doping; Activation; Mobility
Germanium-based nanophotonic devices: Two-dimensional photonic crystals and cavities
Keywords: گرینیم بر روی مقره; Photonic crystals; GeSi self-assembled islands; Silicon-on-insulator; Germanium-on-insulator
High Ge content SGOI substrates obtained by the Ge condensation technique: A template for growth of strained epitaxial Ge
Keywords: گرینیم بر روی مقره; SiGe-on-insulator; SGOI; Germanium-on-insulator; GeOI; Germanium; Epitaxy; Strain
105 nm Gate length pMOSFETs with high-K and metal gate fabricated in a Si process line on 200 mm GeOI wafers
Keywords: گرینیم بر روی مقره; Germanium; Germanium-on-insulator; GeOI; MOSFET; High-K
High quality Germanium-On-Insulator wafers with excellent hole mobility
Keywords: گرینیم بر روی مقره; Germanium; Silicon germanium; Silicon-On-Insulator; Germanium-On-Insulator; Ge condensation; Pseudo-MOSFET; SOI; GeOI; SGOI
Comparison of InGaAs MOSFETs with germanium-on-insulator CMOS
Keywords: گرینیم بر روی مقره; Compound semiconductor FETs; Germanium-on-insulator; InGaAs MOSFET
Electron transport in thin SOI, strained-SOI and GeOI MOSFET by Monte-Carlo simulation
Keywords: گرینیم بر روی مقره; Germanium; Silicon-on-insulator; Strained-silicon-on-insulator; Germanium-on-insulator; Ballistic; Monte-Carlo; MOSFET;