کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8017985 | 1517231 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The concentration gradient of boron along the growth direction in boron doped chemical vapor deposited diamond
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The boron concentration in the growth direction of hot filament chemical vapor deposited boron doped diamond film is studied. Raman spectroscopy showed that the asymmetry of 1332Â cmâ1 peak was enhanced in the growth direction. The estimated boron content from the position of the Lorentzian contribution to the 500Â cmâ1 Raman feature and the electron probe microanalysis on the cross-section of the diamond film reveal a monotonically increasing of boron concentration in the film growth direction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 157, 15 October 2015, Pages 34-37
Journal: Materials Letters - Volume 157, 15 October 2015, Pages 34-37
نویسندگان
Hangyu Long, Hao Luo, Jiaqi Luo, Youneng Xie, Zejun Deng, Xiongwei Zhang, Yijia Wang, Q.P. Wei, Z.M. Yu,