کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8023588 | 1517536 | 2018 | 35 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Aluminum nitride thin films deposited by hydrogen plasma enhanced and thermal atomic layer deposition
ترجمه فارسی عنوان
نیترید آلومینیوم فیلم های نازک پوشیده شده توسط پلاسما هیدروژن افزایش یافته و رسوب لایه حرارتی اتمی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
رسوب لایه اتمی، نیترید آلومینیوم، پلاسما، فیلم نازک، کاربید سیلیکون،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
As an example, AlN was used to infiltrate porous sintered silicon carbide (SiC). Both AlN deposited by PE-ALD and by T-ALD operating with exposure mode deposited at 400â¯Â°C were attempted. Even though, there is a greater risk for TMA precursor to decompose at 400â¯Â°C, infiltration of AlN was more successful by T-ALD operating with exposure mode.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 347, 15 August 2018, Pages 181-190
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 347, 15 August 2018, Pages 181-190
نویسندگان
L. Tian, S. Ponton, M. Benz, A. Crisci, R. Reboud, G. Giusti, F. Volpi, L. Rapenne, C. Vallée, M. Pons, A. Mantoux, C. Jiménez, E. Blanquet,