کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8023880 1517540 2018 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low temperature thin films for next-generation microelectronics (invited)
ترجمه فارسی عنوان
فیلم های نازک با درجه حرارت پایین برای میکروالکترونیک نسل بعدی (دعوت شده)
کلمات کلیدی
مدارهای یکپارچه، پوشش ها، فیلم های نازک گواهی، اثرات حرارتی، بودجه حرارتی،
ترجمه چکیده
در این مقاله روشهای جاری برای رسوب گذاری فیلم های نازک با دمای پایین در میکروالکترونیک بررسی شده است. مقاله در مورد فرایندهای با درجه حرارت بالا در تولید میکرو تراشه بحث می کند و مسئله اتصالات حرارتی بودجه را توضیح می دهد. تلاش برای تکنیک های رسوب کم دما، از منظر روند معاصر تکنولوژی میکرو تراشه، از قبیل ادغام سه بعدی و مینیاتوری پایانی، انگیزه دارد. رسوبات کاهش دما باعث تولید فیلم های با کیفیت پایین می شود. این با رابطه بین درجه حرارت رسوب و کیفیت فیلم دی الکتریک نازک (قدرت دی الکتریک) نشان داده شده است. فن آوری های موجود و در حال ظهور برای رسوب گذاری فیلم های نازک با دمای پایین با تأکید بر کاربرد آنها در تولید میکرو الکترونیک مورد بررسی قرار می گیرند.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
In this article the current methodologies for low-temperature thin film deposition in microelectronics are reviewed. The paper discusses the high temperature processes in microchip manufacturing and describes the thermal budget fitting issue. The quest for low temperature deposition techniques is motivated in the perspective of contemporary trends in microchip technology such as 3D integration and the ending miniaturization. Reduced temperature depositions tend to deliver lower quality films. This is illustrated with the relation between deposition temperature and thin dielectric film quality (dielectric strength). Existing and emerging technologies for low-temperature thin film deposition are reviewed with an emphasis on their applicability in microelectronic fabrication.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 343, 15 June 2018, Pages 83-88
نویسندگان
,