کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8032326 | 1517680 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Co-doped BST thin films for tunable microwave applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
âºAcceptor Co ion has been substituted into the B site of the perovskite crystal which leads to a small change in crystal lattice parameters. âºThe substitution of Co also results in a decrease of grain size. âºThe doping of Co ion reduced the dielectric loss of ferroelectric BST thin films and increased the overall quality factor (figure of merit, FoM). âºThe improvements in dielectric loss and FoM are essential to the implementation of dielectric tunable microwave devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 205, Issues 8â9, 25 January 2011, Pages 2989-2993
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 205, Issues 8â9, 25 January 2011, Pages 2989-2993
نویسندگان
Li Xiao, Kwang-Leong Choy, Ian Harrison,