کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8037822 | 1518296 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Laboratory based X-ray photoemission core-level spectromicroscopy of resistive oxide memories
ترجمه فارسی عنوان
طیف سنجی کروماتوگرافی سطح هسته ای عکسبرداری از اشعه ایکس آزمایشگاهی از خاطرات اکسید مقاوم در برابر
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
HfO2-based resistive oxide memories are studied by core-level spectromicroscopy using a laboratory-based X-ray photoelectron emission microscope (XPEEM). After forming, the top electrode is thinned to about 1 nm for the XPEEM analysis, making the buried electrode/HfO2 interface accessible whilst preserving it from contamination. The results are obtained in the true photoemission channel mode from individual memory cells (5 à 5âµm) excited by low-flux laboratory X-rays, in contrast to most studies employing the X-ray absorption channel using potentially harmful bright synchrotron X-rays. Analysis of the local Hf 4f, O 1s and Ti 2p core level spectra yields valuable information on the chemistry of the forming process in a single device, and in particular the central role of oxygen vacancies thanks to the spectromicroscopic approach.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 183, December 2017, Pages 94-98
Journal: Ultramicroscopy - Volume 183, December 2017, Pages 94-98
نویسندگان
Daniel M. Gottlob, Eugénie Martinez, Claire Mathieu, Christophe Lubin, Nicolas Chevalier, Munique Kazar Mendes, Christelle Charpin, Eric Jalaguier, Olivier Renault, Nicholas Barrett,