کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8038025 | 1518319 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulation of the enhancement factor from an individual 3D hemisphere-on-post field emitter by using finite elements method
ترجمه فارسی عنوان
شبیه سازی عامل افزایش از یک فرد نیمهرسانای سه بعدی با استفاده از روش عناصر محدود
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
This paper presents a 3D computational framework for evaluating electrostatic properties of a single field emitter characterized by the hemisphere-on-post geometry. Numerical simulations employed the finite elements method by using Ansys-Maxwell software. Extensive parametric simulations were focused on the threshold distance from which the emitter field enhancement factor (γ) becomes independent from the anode-substrate gap (G). This investigation allowed demonstrating that the ratio between G and the emitter height (h) is a reliable reference for a broad range of emitter dimensions; furthermore, results permitted establishing G/hâ¥2.2 as the threshold condition for setting the anode without affecting γ.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 160, January 2016, Pages 247-251
Journal: Ultramicroscopy - Volume 160, January 2016, Pages 247-251
نویسندگان
D.S. Roveri, G.M. Sant'Anna, H.H. Bertan, J.F. Mologni, M.A.R. Alves, E.S. Braga,