کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8038321 | 1518333 | 2014 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low voltage EELS-How low?
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Using low beam energies in a (scanning) transmission electron microscope (S/TEM) has numerous advantages over higher beam energies. We discuss the performance of commonly available electron microscopes when being operated at reduced beam energies. Further on, we discuss the merits of low beam energies concerning the determination of the optical properties of Si as well as of buried quantum structures. For this purpose we have aligned a conventional S/TEM and the attached energy loss spectrometer for 13Â keV and 60Â keV, respectively. Finally we identify the key parameters for setting up a low voltage electron energy loss spectrometry (EELS) experiment.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 145, October 2014, Pages 98-104
Journal: Ultramicroscopy - Volume 145, October 2014, Pages 98-104
نویسندگان
M. Stöger-Pollach,