کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
812484 | 906120 | 2011 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Organic ferroelectric opto-electronic memories
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Memory is a prerequisite for many electronic devices. Organic non-volatile memory devices based on ferroelectricity are a promising approach towards the development of a low-cost memory technology based on a simple cross-bar array. In this review article we discuss the latest developments in this area with a focus on the most promising opto-electronic device concept, i.e., bistable rectifying diodes. The integration of these diodes into larger memory arrays is discussed. Through a clever design of the electrodes we demonstrate light emitting diodes with integrated built-in switches that can be applied in signage applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: - Volume 14, Issue 12, December 2011, Pages 592–599
Journal: - Volume 14, Issue 12, December 2011, Pages 592–599
نویسندگان
Kamal Asadi, Mengyuan Li, Paul W.M. Blom, Martijn Kemerink, Dago M. de Leeuw,