| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 813525 | 906163 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												High-frequency compound SC devices
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													شیمی
													شیمی (عمومی)
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												
												چکیده انگلیسی
												High-frequency applications, especially microwave and millimeter-wave frequencies, demand the use of compound semiconductor (SC) transistors. The materials used and the design considerations provide an insight into the behavior of these devices. Both bipolar and field-effect devices are discussed and the properties relevant to high-frequency operation are presented.
ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: - Volume 12, Issue 4, April 2009, Pages 34–37
											Journal: - Volume 12, Issue 4, April 2009, Pages 34–37
نویسندگان
												Sheila Prasad,