کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
813525 | 906163 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-frequency compound SC devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
High-frequency applications, especially microwave and millimeter-wave frequencies, demand the use of compound semiconductor (SC) transistors. The materials used and the design considerations provide an insight into the behavior of these devices. Both bipolar and field-effect devices are discussed and the properties relevant to high-frequency operation are presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: - Volume 12, Issue 4, April 2009, Pages 34–37
Journal: - Volume 12, Issue 4, April 2009, Pages 34–37
نویسندگان
Sheila Prasad,