کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
814240 | 906185 | 2006 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nanowire-based one-dimensional electronics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
During the last half century, a dramatic downscaling of electronics has taken place, a miniaturization that the industry expects to continue for at least a decade. We present efforts to use the self-assembly of one-dimensional semiconductor nanowires1 in order to bring new, high-performance nanowire devices as an add-on to mainstream Si technology. The nanowire approach offers a coaxial gate-dielectric-channel geometry that is ideal for further downscaling and electrostatic control, as well as heterostructure-based devices on Si wafers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: - Volume 9, Issue 10, October 2006, Pages 28–35
Journal: - Volume 9, Issue 10, October 2006, Pages 28–35
نویسندگان
C. Thelander, P. Agarwal, S. Brongersma, J. Eymery, L.F. Feiner, A. Forchel, M. Scheffler, W. Riess, B.J. Ohlsson, U. Gösele, L. Samuelson,