کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
814384 | 906194 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Transistor scaling with novel materials
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) transistor scaling will continue for at least another decade. However, innovation in transistor structures and integration of novel materials are needed to sustain this performance trend. Here we discuss the challenges and opportunities of transistor scaling for the next five to ten years.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: - Volume 9, Issue 6, June 2006, Pages 26–31
Journal: - Volume 9, Issue 6, June 2006, Pages 26–31
نویسندگان
Meikei Ieong, Vijay Narayanan, Dinkar Singh, Anna Topol, Victor Chan, Zhibin Ren,