کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
814384 906194 2006 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Transistor scaling with novel materials
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Transistor scaling with novel materials
چکیده انگلیسی

Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) transistor scaling will continue for at least another decade. However, innovation in transistor structures and integration of novel materials are needed to sustain this performance trend. Here we discuss the challenges and opportunities of transistor scaling for the next five to ten years.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: - Volume 9, Issue 6, June 2006, Pages 26–31
نویسندگان
, , , , , ,