کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8148353 | 1524331 | 2018 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of growth temperature on the structural and optoelectronic properties of epitaxial indium oxide films
ترجمه فارسی عنوان
تاثیر دمای رشد بر خواص ساختاری و اپتوالکترونیک فیلم های اکسید اپی تکسیال ایندیوم
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
High quality monocrystalline indium oxide (In2O3) films have been epitaxially grown on SiO2 (0001) substrates by the metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) method. The influences of different growth temperatures on the structural, morphological and optoelectronic properties of the films were studied in detail. The film deposited at 650â¯Â°C exhibited the narrowest X-ray linewidth with an epitaxial relationship of In2O3 (1â¯1â¯1)â¥SiO2 (0001). The highest Hall mobility of 27.84â¯cm2â¯Vâ1â¯sâ1 with a minimum carrier concentration of 5.03â¯Ãâ¯1019â¯cmâ3 and a minimum resistivity of 4.24â¯Ãâ¯10â3â¯Î©â¯cm was obtained for the film prepared at 650â¯Â°C. The average transmittance for all the samples in the visible range exceeded 82% and the optical band gap of the films was calculated about 3.7â¯eV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 499, 1 October 2018, Pages 18-23
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 499, 1 October 2018, Pages 18-23
نویسندگان
Xuejian Du, Baoyuan Man,