کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8148366 | 1524331 | 2018 | 16 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Identifying threading dislocation types in ammonothermally grown bulk α-GaN by confocal Raman 3-D imaging of volumetric stress distribution
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This study demonstrates all-optical Raman scattering study of dislocations in ammonothermally grown α-GaN crystal and identifies an edge aâ-type threading dislocation (TD) using a confocal Raman 3-D imaging technique. These findings make possible the characterization of volumetric stress field and low TD density distributions over a large area on bulk α-GaN single crystal. The dislocation type effects on Raman shift are also discussed in detail (in order to identify the edge aâ-type and mixed aâ+câ-type TDs, and theorize the invisibility of the screw câ-type TDs). Authors are not aware of any previous reports using the confocal Raman 3-D imaging to identify the edge aâ-type and mixed aâ+câ-type TDs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 499, 1 October 2018, Pages 47-54
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 499, 1 October 2018, Pages 47-54
نویسندگان
J.T. Holmi, B.H. Bairamov, S. Suihkonen, H. Lipsanen,