کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8148766 | 1524343 | 2018 | 18 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crystal growth and temperature dependence of light output of Ce-doped (Gd, La, Y)2Si2O7 single crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Ce-doped (Gd, La)2Si2O7 scintillation crystals are expected to be used as gamma-ray detectors for high temperature measurement. To realize scintillators for high temperature environment, we investigated (Ce0.01 Gd0.59âx La0.40 Yx)2Si2O7 (xâ¯=â¯0.00, 0.05, 0.10, 0.15) single crystals grown by the micro-pulling-down method. The results showed that a 5% Y-admixed Ce-doped (Gd, La)2Si2O7 scintillator can yield higher light output when compared with Y-free Ce-doped (Gd, La)2Si2O7 scintillator. The light outputs at 25°C and 175°C were determined to be â¼43,000 and â¼40,000 photons/MeV, respectively. Moreover, 1â¯inch size 5% Y-admixed Ce-doped (Gd, La)2Si2O7 scintillator was grown by the Czochralski technique, and its light output at 175°C kept the value of around 95% of the value at 25°C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 486, 15 March 2018, Pages 173-177
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 486, 15 March 2018, Pages 173-177
نویسندگان
Takahiko Horiai, Shunsuke Kurosawa, Rikito Murakami, Yasuhiro Shoji, Jan Pejchal, Akihiro Yamaji, Yuji Ohashi, Kei Kamada, Yuui Yokota, Tomohiro Ishizu, Yasuo Ohishi, Taisuke Nakaya, Akira Yoshikawa,