Minority lifetime degradation of silicon wafers after electric zone melting

تخریب طول عمر اقلیت از ورقه های سیلیکونی منو و چند کریستالی پس از ذوب شدن منطقه برق، یک فرایند ساده و بدون آلودگی. انحطاط ناشی از حرارتی ناشی از تخریب بود؛ با این حال، اندازه دانه نیز نقش مهمی ایفا کرد. اعتقاد بر این بود که مرزهای دانه کمک به آرام کردن تنش حرارتی شد، به طوری که تخریب با کاهش اندازه دانه کاهش یافت. علاوه بر نقشه برداری طول عمر و تراکم بتنی اچ، نقشه برداری فوتولومینسانس نیز برای بررسی نقص های الکتریکی فعال پس از ذوب شدن منطقه مورد استفاده قرار گرفت.