کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8150688 | 1524425 | 2014 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Orientation of silicon nanowires grown from nickel-coated silicon wafers
ترجمه فارسی عنوان
جهت نانوسیم های سیلیکونی که از ورقه های سیلیکونی پوشش داده شده با نیکل رشد می کنند
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
Growth orientation of silicon (Si) nanowires is the key in tailoring the optical and electrical characteristics of semiconductor devices. To date, however, the distribution and dictator are still unclear. In this work, Si nanowires are grown via thermal annealing of nickel (Ni) coated Si wafers. The morphology, growth orientation and the relation to the seeding Ni catalyst particles are examined via high resolution transmission electron microscopy and selected area electron diffraction pattern. Statistical results show that Si nanowires prefer to be along the <112> orientation, followed by the ones in the <110>, <111>, <001>, <113> and <133> orientations. Besides surface energy that is commonly believed to control the nanowire׳s growth, this work found that the nanowire׳s growth follows certain structure-sensitive principle at the wire/catalyst interface to minimize the mismatch in lattice spacing and dihedral angle.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 404, 15 October 2014, Pages 26-33
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 404, 15 October 2014, Pages 26-33
نویسندگان
Feng Ji Li, Sam Zhang, Jyh-Wei Lee, Jun Guo, Timothy John White, Bo Li, Dongliang Zhao,