کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8150815 | 1524426 | 2014 | 16 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural defects in bulk GaN
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Results of TEM studies of HVPE layers grown on Ammonothermal substrates are also presented. These layers have superior crystal quality in comparison to the HNPS layers, as far as density of dislocation is concern. Occasionally some small inclusions can be found, but their chemical composition was not yet determined. It is expected that growth of the HNPS layers on these substrate will lead to large layer thickness obtained in a short time and with high crystal perfection needed in devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 403, 1 October 2014, Pages 66-71
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 403, 1 October 2014, Pages 66-71
نویسندگان
Z. Liliental-Weber, R. dos Reis, M. Mancuso, C.Y. Song, I. Grzegory, S. Porowski, M. Bockowski,