کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8152068 | 1524448 | 2013 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Numerical parameter studies of 3D melt flow and interface shape for directional solidification of silicon in a traveling magnetic field
ترجمه فارسی عنوان
مطالعات پارامترهای عددی جریان ذوب و شکل اینترفیس برای خنک کردن جهت سیلیکن در یک میدان مغناطیسی حرکتی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
The role of various growth and process conditions (Lorentz force, temperature gradients in the melt and the crystal, steady-state crystallization velocity) in directional solidification of multicrystalline silicon in a traveling magnetic field is analyzed for a research-scale furnace (melt size of 22Ã22Ã11Â cm3). The influence on the melt flow pattern, the typical melt flow velocity, the oscillation amplitude of the velocity and the temperature, the shape of the crystallization interface is determined using three-dimensional (3D) numerical calculations with the STHAMAS3D software and a local quasi steady-state model. It was found that both the interface shape and the melt flow are sensitive to the variation of the considered growth and process parameters.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 381, 15 October 2013, Pages 169-178
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 381, 15 October 2013, Pages 169-178
نویسندگان
D. Vizman, K. Dadzis, J. Friedrich,