کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8152128 | 1524448 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Realization of W-MgZnO epitaxial growth on BeO-buffered ZnO for UV-B photodetectors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Realization of W-MgZnO epitaxial growth on BeO-buffered ZnO for UV-B photodetectors Realization of W-MgZnO epitaxial growth on BeO-buffered ZnO for UV-B photodetectors](/preview/png/8152128.png)
چکیده انگلیسی
A single-phase wurtzite MgZnO film with an optical band gap of 294.5Â nm was synthesized on ZnO substrate by molecular beam epitaxy, and a photodetector was fabricated working in the ultraviolet-B spectrum region. Wurtzite BeO was adopted to restrain the substrate response as an insulating layer and provide an excellent epitaxial template for high-Mg-content MgZnO growth. In situ reflection high-energy electron diffraction observations, ex situ X-ray diffraction and reflectance spectrum indicate the achievement of high-quality single-phase wurtzite MgZnO with smooth surface and deep ultraviolet band gap. The BeO layer efficiently suppresses the photoresponse from the substrate, as the photodetector demonstrates a sharp cutoff at 290Â nm, consistent with the optical band gap.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 381, 15 October 2013, Pages 6-9
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 381, 15 October 2013, Pages 6-9
نویسندگان
H.L. Liang, Z.X. Mei, Y.N. Hou, S. Liang, Z.L. Liu, Y.P. Liu, J.Q. Li, X.L. Du,